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10月29日晚間，中微公司發(fā)布2025年第三季度報(bào)告。

財(cái)報(bào)顯示，公司前三季度（1—9月）實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入80.63億元，同比增長約46.40%。其中刻蝕設(shè)備收入61.01億元，同比增長約38.26%；LPCVD和ALD等薄膜設(shè)備收入4.03億元，同比增長約1332.69%；同期實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤為12.11億元，同比增長約32.66%。

業(yè)績增長主要原因?yàn)椋呵叭径葼I業(yè)收入增長46.40%下，毛利較上年增長約8.27億元；由于市場對中微開發(fā)多種新設(shè)備的需求急劇增長，2025 年公司顯著加大研發(fā)力度，以盡快補(bǔ)短板，實(shí)現(xiàn)趕超，為持續(xù)增長打好基礎(chǔ)。前三季度公司研發(fā)支出較上年同期增長9.79億元（增長約63.44%），研發(fā)支出占營業(yè)收入比例約為31.29%；由于市場波動(dòng)，公司2025年前三季度計(jì)入非經(jīng)常性損益的股權(quán)投資收益為3.29億元，較上年同期增加約2.75億元等。

據(jù)介紹，公司目前在研項(xiàng)目涵蓋六類設(shè)備、超二十款新設(shè)備的開發(fā)。公司研發(fā)新產(chǎn)品的速度顯著加快，過去通常需要三到五年開發(fā)一款新設(shè)備，現(xiàn)在只需兩年或更短的時(shí)間就能開發(fā)出有競爭力的新設(shè)備，并順利進(jìn)入市場，公司有望在未來幾年加速、大規(guī)模地推出多種新產(chǎn)品。

產(chǎn)品交付方面，公司針對先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運(yùn)量顯著提升，先進(jìn)邏輯器件中段關(guān)鍵刻蝕工藝和先進(jìn)存儲(chǔ)器件的超高深寬比刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

其中CCP方面，公司用于關(guān)鍵刻蝕工藝的單反應(yīng)臺(tái)介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品保持高速增長，60比1超高深寬比介質(zhì)刻蝕設(shè)備成為國內(nèi)標(biāo)配設(shè)備，量產(chǎn)指標(biāo)穩(wěn)步提升，下一代90比1超高深寬比介質(zhì)刻蝕設(shè)備即將進(jìn)入市場；ICP方面，適用于下一代邏輯和存儲(chǔ)客戶用ICP刻蝕設(shè)備和化學(xué)氣相刻蝕設(shè)備開發(fā)取得了良好進(jìn)展。加工的精度和重復(fù)性已達(dá)到單原子水平。公司為先進(jìn)存儲(chǔ)器件和邏輯器件開發(fā)的LPCVD、ALD等多款薄膜設(shè)備已經(jīng)順利進(jìn)入市場，并且設(shè)備性能完全達(dá)到國際領(lǐng)先水平，薄膜設(shè)備的覆蓋率不斷增加。公司硅和鍺硅外延EPI設(shè)備已順利運(yùn)付客戶端進(jìn)行量產(chǎn)驗(yàn)證，并且獲得客戶高度認(rèn)可。在泛半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，公司正在開發(fā)更多化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備，已陸續(xù)付運(yùn)至客戶端開展生產(chǎn)驗(yàn)證。

資料顯示，作為國內(nèi)高端半導(dǎo)體設(shè)備制造的領(lǐng)軍者，中微公司等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用于國際一線客戶從65納米到14納米、7納米、5納米及其他先進(jìn)集成電路加工制造生產(chǎn)線，以及先進(jìn)存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。其中，CCP電容性高能等離子體刻蝕機(jī)和ICP電感性低能等離子體刻蝕機(jī)可覆蓋國內(nèi)95%以上的刻蝕應(yīng)用需求。公司在過去14年保持營業(yè)收入年均增長大于35%。在2024年比2023年銷售增長44.7%的基礎(chǔ)上，2025年上半年?duì)I業(yè)收入繼續(xù)保持高速增長，同比增長43.9%，達(dá)到49.61億元。